電子元器件高溫高濕儲存測試方法：

目的:

測試高溫高濕儲存環(huán)境對元器件的結構, 整機電氣的影響, 以考量結構設計及零件選用的合理性.

測試條件:

儲存高溫高濕條件: 通常為溫度70±2℃, 濕度90-95% 試驗時間24Hrs(非操作條件).

測試方法:

(1). 試驗前記錄待測品輸入功率, 輸出電壓及HI-POT 狀況;

(2). 將確認后的待測品置入恒溫恒濕機內, 依規(guī)格設定其溫度和濕度,然后啟動溫控室;

(3). 試驗24Hrs, 試驗結束后在空氣中放置至少4Hrs,再確認待測品外觀, 結構及電氣性能是否有異常.

注意事項:

(1). 產(chǎn)品試驗期間與試驗后,產(chǎn)品性能不能出現(xiàn)降級與退化現(xiàn)象.

(2). 試驗后產(chǎn)品的介電強度與絕緣電阻測試需符合規(guī)格書要求.

低溫操作測試

目的:

測試低溫環(huán)境對元器件操作過程中的結構及整機電氣的影響, 用以考量結構設計及零件選用的合理性.

測試方法:

(1). 將待測品置于溫控室內, 依規(guī)格設定好輸入輸出測試條件, 然后開機.

(2). 依規(guī)格設定好溫控室的溫度,然后啟動溫控室.

(3). 定時記錄待測品輸入功率和輸出電壓,以及待測品是否有異常;

(4). 做完測試后將待測品從溫控室中移出, 在常溫環(huán)境下恢復至少4小時,然后確認其外觀和電氣性能有無異常.

注意事項:

(1). 產(chǎn)品試驗期間與試驗后,產(chǎn)品性能不能出現(xiàn)降級與退化現(xiàn)象.

(2). 試驗后產(chǎn)品的介電強度與絕緣電阻測試需符合規(guī)格書要求.

低溫儲存測試

目的:

測試低溫儲存環(huán)境對S.M.P.S. 的結構, 元件及整機電氣的影響, 用以考量S.M.P.S. 結構設計及零件選用的合理性.

測試條件:

儲存低溫條件: 通常為溫度-30℃, 試驗時間24Hrs(非操作條件).

測試方法:

(1). 試驗前記錄待測品輸入功率, 輸出電壓及HI-POT 狀況.

(2). 將確認后的待測品置入恒溫恒濕機內, 依規(guī)格設定其溫度,然后啟動溫控室.

(3). 試驗24Hrs, 試驗結束后在空氣中放置至少4Hrs, 再將待測品做HI-POT 測試, 記錄測試結果, 之后確認待測品的外觀, 結構及電氣性能是否有異常.

注意事項:

(1). 產(chǎn)品試驗期間與試驗后,產(chǎn)品性能不能出現(xiàn)降級與退化現(xiàn)象.

(2). 試驗后產(chǎn)品的介電強度與絕緣電阻測試需符合規(guī)格書要求.